对比图
描述 5A,-30V,P沟道MOSFET晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, -2.6 V
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 TSOT-23-6 SOT-26-6
极性 P-Channel P-CH
耗散功率 1.6 W 1.6 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 5.00 A 5A
上升时间 26 ns 26 ns
输入电容(Ciss) 430pF @10V(Vds) 430pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 1.6 W -
下降时间 35 ns 35 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
通道数 - 1
针脚数 - 6
漏源极电阻 - 59 mΩ
漏源击穿电压 - 30 V
封装 TSOT-23-6 SOT-26-6
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free