199D336X5025E6V1E3和199D336X9025E6A1E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 199D336X5025E6V1E3 199D336X9025E6A1E3 199D336X9025E6V1E3

描述 CAP TANT 33uF 25V 5% RADIALCap Tant Solid 33uF 25V 10% (8.6 X 15mm) Radial 5.08mm 125℃ Ammo Pack199D 系列 33 uF ±10 % 25 V 径向 固体 电解质钽电容

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 电容钽电容钽电容

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 2

封装 - - Radial

额定电压(DC) - - 25.0 V

电容 33.0 µF 33 µF 33 μF

容差 ±5 % ±10 % ±10 %

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

额定电压 25 V 25 V 25 V

高度 - - 15 mm

封装 - - Radial

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

包装方式 Bulk Bulk Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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