对比图
型号 AUIRFR48ZTRL IRFR48Z IRFR48ZPBF
描述 DPAK N-CH 55V 62ADPAK N-CH 55V 62AN 通道功率 MOSFET 60A 至 79A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
额定功率 - - 91 W
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 11 mΩ
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 91W (Tc) - 91 W
阈值电压 - - 4 V
输入电容 - - 1720pF @25V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 - - 55 V
连续漏极电流(Ids) 62A 62A 62A
上升时间 61 ns - 61 ns
输入电容(Ciss) 1720pF @25V(Vds) - 1720pF @25V(Vds)
下降时间 35 ns - 35 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 91W (Tc) - 91W (Tc)
长度 - - 6.73 mm
宽度 - - 6.22 mm
高度 - - 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17