70V657S12BF8和70V657S12DRI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70V657S12BF8 70V657S12DRI 70V657S12BFI

描述 IC SRAM 1.125Mbit 12NS 208CABGASRAM Chip Async Dual 3.3V 1.125M-Bit 32K x 36 12ns 208Pin PQFP Tray静态随机存取存储器 32Kx36 STD-PWR, 3.3V DUAL-PORT RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 208 208 208

封装 LFBGA-208 BFQFP-208 CABGA-208

安装方式 - Surface Mount -

电源电压 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V

存取时间 - 12 ns 12 ns

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

长度 15.0 mm 28.0 mm 15 mm

宽度 15.0 mm 28.0 mm 15 mm

封装 LFBGA-208 BFQFP-208 CABGA-208

厚度 1.40 mm 3.50 mm 1.40 mm

高度 - - 1.4 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tray Tube, Rail

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead

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