2SA1015-Y和BC559A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SA1015-Y BC559A 2N3707

描述 Transistor PNP 2SA1015/2SA1015Y TOSHIBA miliampere=150V=50 TO92Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.5W(1/2W); TO92Trans GP BJT NPN 30V 0.2A 3Pin TO-92 Box

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Diotec Semiconductor Central Semiconductor

分类 晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 - TO-92 TO-226-3

耗散功率 - 500 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 500 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - - 30 V

最小电流放大倍数(hFE) - - 100 @1mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - - 400

封装 - TO-92 TO-226-3

宽度 - - 4.19 mm

材质 - Silicon -

工作温度 - - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Ammo Pack Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free 无铅

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