对比图
型号 IPI076N12N3G IPP076N12N3G
描述 OptiMOSTM3功率三极管 OptiMOSTM3 Power-Transistor120V,100A,N沟道功率MOSFET
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-262 TO-220-3-1
漏源极电压(Vds) - 120 V
输入电容(Ciss) - 6640pF @60V(Vds)
额定功率(Max) - 188 W
封装 TO-262 TO-220-3-1
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube, Rail Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free