对比图
型号 APT28F60B STW20NM60FD IXTH26N60P
描述 N沟道FREDFET N-Channel FREDFETN 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsN沟道 600V 26A
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V
额定电流 28.0 A 20.0 A 26.0 A
耗散功率 520 W 214 W 460 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 28.0 A 20.0 A 26.0 A
输入电容(Ciss) 5575pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 4150pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 520 W 214 W -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 520W (Tc) 214W (Tc) 460W (Tc)
极性 - N-Channel N-CH
输入电容 - 1.30 nF 4.15 nF
栅电荷 - 37.0 nC 72.0 nC
上升时间 - 12 ns 27 ns
下降时间 - 22 ns 21 ns
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.26 Ω -
阈值电压 - 4 V -
漏源击穿电压 - 600 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
高度 21.46 mm 20.15 mm -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 15.75 mm -
宽度 - 5.15 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -