DMN2114SN-7和PMR280UN,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DMN2114SN-7 PMR280UN,115

描述 Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3Pin SC-59 T/RNXP  PMR280UN,115  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 20 V, 0.28 ohm, 4.5 V, 700 mV

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SC-59-3 SOT-416

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.28 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 0.5 W 530 mW

阈值电压 - 700 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 1.20 A 980 mA

输入电容(Ciss) 180pF @10V(Vds) 45pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 500 mW 530 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500mW (Ta) 530mW (Tc)

漏源击穿电压 20.0 V -

栅源击穿电压 ±12.0 V -

上升时间 15 ns -

下降时间 45 ns -

长度 3.1 mm 1.8 mm

宽度 1.7 mm 0.9 mm

高度 1.3 mm 0.85 mm

封装 SC-59-3 SOT-416

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

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