BDW93CFP和MJF6388G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BDW93CFP MJF6388G BUL128FP

描述 STMICROELECTRONICS  BDW93CFP  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 33 W, 12 A, 1000 hFEON SEMICONDUCTOR  MJF6388G  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 40 W, 10 A, 100 hFE 新高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 100 V 100 V -

额定电流 12.0 A 10.0 A -

输出电压 - 100 V -

输出电流 - 10 A -

针脚数 3 3 -

输入电流 - 1 A -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 33 W 40 W 31 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 400 V

热阻 - 62.5℃/W (RθJA) -

集电极最大允许电流 12A 10A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 100 3000 @3A, 4V 14 @2A, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 15000 -

额定功率(Max) 33 W 2 W 31 W

直流电流增益(hFE) 1000 100 15

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 33 W 2000 mW 31000 mW

输入电压 - 5 V -

宽度 4.6 mm 4.9 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.4 mm - -

高度 16.4 mm - -

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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