SFR9034和STD10P6F6

对比图

型号 SFR9034 STD10P6F6 SPD08P06P

描述 先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFETP 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsInfineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - - -60.0 V

额定电流 - - -8.80 A

通道数 - 1 1

极性 P-CH P-Channel P-CH

耗散功率 - 35 W 42W (Tc)

输入电容 - 340 pF 420 pF

栅电荷 - - 15.0 nC

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 14A - 8.80 A

上升时间 - 5.3 ns 46 ns

输入电容(Ciss) 1155pF @25V(Vds) 340pF @48V(Vds) 335pF @25V(Vds)

下降时间 - 3.7 ns 14 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 35W (Tc) 42W (Tc)

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.13 Ω -

阈值电压 - 4 V -

漏源击穿电压 - 60 V -

正向电压(Max) - 1.1 V -

额定功率(Max) 2.5 W 35 W -

长度 - 6.6 mm 6.5 mm

宽度 - 7.45 mm 6.22 mm

高度 - 2.38 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 175℃ (TJ) -