对比图
型号 BUK9606-40B BUK9606-40B,118 PHB101NQ04T
描述 的TrenchMOS逻辑电平FET TrenchMOS logic level FETN沟道 VDS=40V VGS=±15V ID=75A P=203WPHP/PHB101NQ04T; N-channel Trenchmos (tm) standard level FET
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) Philips (飞利浦)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount -
引脚数 - 3 -
封装 TO-263 TO-263-3 -
耗散功率 - 203W (Tc) -
输入电容 - 3967 pF -
漏源极电压(Vds) - 40 V -
上升时间 - 145 ns -
输入电容(Ciss) - 4901pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) - 203 W -
下降时间 - 92 ns -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 203W (Tc) -
封装 TO-263 TO-263-3 -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - 无铅 -