CY7C1315CV18-250BZI和CY7C1315CV18-250BZXC

对比图

型号 CY7C1315CV18-250BZI CY7C1315CV18-250BZXC CY7C1315CV18-250BZC

描述 18 - Mbit的QDR ™-II SRAM 4字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture18 - Mbit的QDR ™-II SRAM 4字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture18 - Mbit的QDR ™-II SRAM 4字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

引脚数 165 - -

存取时间 - 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) - 1.9 V -

电源电压(Min) - 1.7 V -

位数 36 - -

存取时间(Max) 0.45 ns - -

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

高度 0.89 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead