对比图



型号 BAS28E6327HTSA1 BAS28E6433HTMA1 BAS28T/R
描述 Infineon 二极管 BAS28E6327HTSA1, Io=200mA, Vrev=85V, 4ns, 4引脚 SOT-143封装Rectifier Diode, 2Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon, SOT-143, 4PinRectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 85V V(RRM), Silicon,
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Central Semiconductor
分类 肖特基二极管TVS二极管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 4 4 -
封装 SOT-143-4 TO-253-4 -
正向电压 1250 mV 1.25V @150mA -
耗散功率 330 mW 330 mW -
反向恢复时间 4 ns 4 ns -
正向电流(Max) 200 mA 0.2 A -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
工作结温 150℃ (Max) 150℃ (Max) -
耗散功率(Max) 330 mW 330 mW -
额定电压(DC) 80.0 V - -
额定电流 200 mA - -
额定功率 330 mW - -
负载电流 0.2 A - -
正向电流 200 mA - -
最大正向浪涌电流(Ifsm) 4.5 A - -
正向电压(Max) 1.25V @150mA - -
封装 SOT-143-4 TO-253-4 -
长度 2.9 mm - -
宽度 1.3 mm - -
高度 1 mm - -
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -