FQU10N20CTU和IRFU230A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQU10N20CTU IRFU230A

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3Pin(3+Tab) IPAK Rail先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole -

引脚数 3 -

封装 TO-251-3 -

额定电压(DC) 200 V -

额定电流 7.80 A -

通道数 1 -

漏源极电阻 360 mΩ -

极性 N-Channel -

耗散功率 50 W -

漏源极电压(Vds) 200 V -

漏源击穿电压 200 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 7.80 A -

上升时间 92 ns -

输入电容(Ciss) 510pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 50 W -

下降时间 72 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 50W (Tc) -

长度 6.8 mm -

宽度 2.5 mm -

高度 6.3 mm -

封装 TO-251-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free -

ECCN代码 EAR99 -

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