对比图
型号 IRFZ44VZPBF STP60NF06L IRF1018EPBF
描述 INTERNATIONAL RECTIFIER IRFZ44VZPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 57A TO-220ABN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsINFINEON IRF1018EPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 79 A, 60 V, 0.0071 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 - - 110 W
通道数 - - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 12 mΩ 0.014 Ω 0.0071 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 92 W 110 W 110 W
阈值电压 4 V 1 V 4 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V 60.0 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 57.0 A 60.0 A 79A
上升时间 62.0 ns 220 ns 35 ns
输入电容(Ciss) 1690pF @25V(Vds) 2000pF @25V(Vds) 2290pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 92 W 110 W 110 W
下降时间 - 30 ns 46 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 110W (Tc) 110W (Tc)
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -
额定电流 57.0 A 60.0 A -
栅源击穿电压 - ±15.0 V -
产品系列 IRFZ44VZ - -
输入电容 1690pF @25V - -
栅电荷 65.0 nC - -
长度 10.66 mm 10.4 mm 10.67 mm
宽度 - 4.6 mm 4.83 mm
高度 16.51 mm 9.15 mm 9.02 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - EAR99 EAR99