对比图
型号 FDS9926A PHN210T,118 NTMD6N02R2G
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9926A 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 VNXP PHN210T,118 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.2 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 2 VN 通道 MOSFET，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 20.0 V - 20.0 V
额定电流 6.50 A - 6.00 A
通道数 2 - 2
针脚数 8 8 -
漏源极电阻 0.025 Ω 0.08 Ω 0.035 Ω
极性 Dual N-Channel Dual N-Channel N-Channel
耗散功率 2 W 2 W 2 W
阈值电压 1 V 2 V 900 mV
输入电容 650 pF - -
栅电荷 6.20 nC - -
漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 20 V
漏源击穿电压 20 V - 20 V
栅源击穿电压 ±10.0 V - ±12.0 V
连续漏极电流(Ids) 6.50 A 2.40 A 6.50 A
上升时间 9 ns 8 ns 50.0 ns
输入电容(Ciss) 650pF @10V(Vds) 250pF @20V(Vds) 1100pF @16V(Vds)
额定功率(Max) 900 mW 2 W 730 mW
下降时间 4 ns 15 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 2 W 2 W
长度 5 mm 5 mm 5 mm
宽度 4 mm 4 mm 4 mm
高度 1.5 mm 1.45 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99
香港进出口证 NLR - -