对比图
型号 MRF314 SD1275 MRF317
描述 射频线NPN硅功率晶体管30W ， 30-200MHz ， 28V The RF Line NPN Silicon Power Transistor 30W, 30-200MHz, 28V射频与微波晶体管VHF移动应用程序 RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONS射频线NPN硅功率晶体管100W ， 30-200MHz ， 28V The RF Line NPN Silicon Power Transistor 100W, 30-200MHz, 28V
数据手册 ---
制造商 M/A-Com ST Microelectronics (意法半导体) M/A-Com
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Chassis Chassis
引脚数 4 - 4
封装 211-07 M-135 316-01
耗散功率 82 W 70 W 270 W
击穿电压(集电极-发射极) 35 V 16 V 35 V
增益 13.5 dB 9 dB 10 dB
最小电流放大倍数(hFE) 20 20 @250mA, 5V 10 @5A, 5V
额定功率(Max) 30 W 70 W 100 W
额定电压(DC) - 36.0 V -
额定电流 - 8.00 A -
最大电流放大倍数(hFE) - 20 @250mA, 5V -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
频率 200 MHz - -
极性 NPN - -
输出功率 30.0 W - -
封装 211-07 M-135 316-01
长度 - 9.78 mm -
宽度 - 9.78 mm -
高度 - 19.05 mm -
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tray Bulk Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - 200℃ (TJ) -