IS66WVE4M16EALL-70BLI和IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS66WVE4M16EALL-70BLI IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR

描述 SRAM, 64 Mbit, 4M x 16位, 1.7V 至 1.95V, TFBGA, 48 引脚, 70 ns静态随机存取存储器 64Mb Pseudo 静态随机存取存储器 Asynch/Pg 4Mx16 55ns

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48

封装 TFBGA-48 TFBGA-48

针脚数 48 -

位数 16 16

存取时间 70 ns 70 ns

存取时间(Max) 70 ns 70 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

封装 TFBGA-48 TFBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99

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