MPSA29和MPSA29RLRPG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPSA29 MPSA29RLRPG MPSA29G

描述 Trans Darlington NPN 100V 0.5A 3Pin TO-92达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN SiliconNPN 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 - TO-92-3 TO-226-3

额定电压(DC) - 100 V 100 V

额定电流 - 500 mA 500 mA

输出电压 - - 100 V

输出电流 - - 500 mA

针脚数 - - 3

极性 - NPN NPN

耗散功率 - 625 mW 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 100 V 100 V

热阻 - - 200℃/W (RθJA)

集电极最大允许电流 - 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) - 10000 @100mA, 5V 10000 @100mA, 5V

额定功率(Max) - 625 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) - - 10000

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 - 200 MHz 200 MHz

耗散功率(Max) - 625 mW 625 mW

输入电压 - - 12 V

长度 - 5.2 mm 5.2 mm

宽度 - 4.19 mm 5.33 mm

高度 - 5.33 mm 4.19 mm

封装 - TO-92-3 TO-226-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Cut Tape (CT) Bulk

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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