对比图
型号 PD57060-E PD57060TR-E PD57060S-E
描述 MOSFET 晶体管，STMicroelectronics射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER Transistors, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs60W,28V,0.945GHz,射频LDMOS晶体管
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 晶体管晶体管晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF
频率 945 MHz 945 MHz 945 MHz
额定电压(DC) 65.0 V - 65.0 V
额定电流 7 A - 7 A
针脚数 - - 3
耗散功率 79 W 79000 mW 79 W
漏源极电压(Vds) 65 V - 65 V
漏源击穿电压 - - 65 V
连续漏极电流(Ids) 7.00 A - 7.00 A
输出功率 60 W 60 W 60 W
增益 14.3 dB 14.3 dB 14.3 dB
测试电流 100 mA 100 mA 100 mA
输入电容(Ciss) 83pF @28V(Vds) 83pF @28V(Vds) 83pF @28V(Vds)
工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃ 165 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 79000 mW 79000 mW 79000 mW
额定电压 65 V 65 V 65 V
输入电容 83 pF - -
长度 9.5 mm - 7.5 mm
宽度 7.6 mm - 9.4 mm
高度 3.6 mm - 3.5 mm
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF
工作温度 -65℃ ~ 165℃ -65℃ ~ 165℃ -65℃ ~ 165℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99