对比图
型号 IXFH26N60Q SPW07N60CFD SPW35N60CFD
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH26N60Q 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 26 A, 600 V, 250 mohm, 10 V, 4.5 VINFINEON SPW07N60CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 650 V, 0.59 ohm, 10 V, 4 VINFINEON SPW35N60CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 34.1 A, 600 V, 0.1 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 26.0 A - 34.0 A
额定功率 360 W - -
通道数 1 - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.25 Ω 0.59 Ω 0.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 360 W 83 W 313 W
阈值电压 4.5 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 26.0 A 6.60 A 34.0 A
上升时间 32 ns 25 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 5100pF @25V(Vds) 790pF @25V(Vds) 5060pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 360 W 83 W 313 W
下降时间 16 ns 9 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
工作结温(Max) 150 ℃ - -
耗散功率(Max) 360W (Tc) - 313 W
输入电容 - - 5.06 nF
栅电荷 - - 212 nC
宽度 5.3 mm 5.21 mm 5.21 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 16.13 mm 16.13 mm
高度 - 21.1 mm 21.1 mm
材质 Silicon - -
重量 6 g - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended
包装方式 Tube Rail, Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99