IPS2041RPBF和VND7NV04-E

对比图

型号 IPS2041RPBF VND7NV04-E VND1NV04-E

描述 Power Switch Lo Side 1.4A Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK TubeSTMICROELECTRONICS  VND7NV04-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 55 V, 60 mohm, 5 V, 2.5 VVN750 系列 6 A 36 V 60 mOhm 单 表面贴装 高压侧 驱动器 - P2PAK

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器MOS管电源管理

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

输出接口数 1 1 1

输出电流 1.4 A 6 A 1.7 A

供电电流 - 0.1 mA 0.1 mA

耗散功率 1 W 60 W 35 W

上升时间 - - 500 ns

输出电流(Max) - 6 A 1.7 A

输出电流(Min) - 6 A 1.7 A

输入数 - 1 1

下降时间 - - 600 ns

耗散功率(Max) 1000 mW 60000 mW 35000 mW

工作电压 60.0V (max) - -

输入电压(DC) 5.50 V - -

漏源极电阻 0.13 Ω 0.06 Ω -

产品系列 IPS2041RPBF - -

阈值电压 2 V 2.5 V -

钳位电压 68 V - -

输入电压(Max) 6 V - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

电源电压 4V ~ 5.5V - -

电源电压(Max) 60 V - -

电源电压(Min) 0.3 V - -

输入电压 4V ~ 5.5V - -

额定功率 - 60 W -

输出电压 - 40 V -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

极性 - N-Channel -

漏源极电压(Vds) - 55 V -

漏源击穿电压 - 40.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 6.00 A -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

高度 2.39 mm 2.4 mm -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99