IRFR120ATF和IRFR120ATM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR120ATF IRFR120ATM IRFR120TR

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 8.4A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RTrans MOSFET N-CH 100V 8.4A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RPower Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Intertechnology

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 DPAK TO-252-3 -

漏源极电阻 - 0.2 Ω -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 - 32 W -

阈值电压 - 4 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

漏源击穿电压 - ±60.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 8.4A 8.40 A -

输入电容(Ciss) - 480pF @25V(Vds) -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 32W (Tc) -

封装 DPAK TO-252-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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