IRF7506PBF和IRF9953TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7506PBF IRF9953TRPBF IRF7104PBF

描述 Micro P-CH 30V 1.7AHEXFET® 双 P 通道功率 MOSFET,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON  IRF7104PBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2.3 A, -20 V, 250 mohm, -10 V, -3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 Micro SOIC-8 SOIC-8

额定功率 - 2 W 2 W

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.165 Ω 0.25 Ω

极性 P-Channel P-CH Dual P-Channel

耗散功率 - 2 W 2 W

阈值电压 - 1 V 3 V

输入电容 - 190 pF -

漏源极电压(Vds) -30.0 V 30 V 20 V

连续漏极电流(Ids) -1.70 A 2.3A 2.3A

上升时间 12 ns 14 ns 16 ns

输入电容(Ciss) 180pF @25V(Vds) 190pF @15V(Vds) 290pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 2 W 2 W

下降时间 9.3 ns 6.9 ns 30 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1250 mW 2 W 2 W

通道数 - - 2

热阻 - - 62.5℃/W (RθJA)

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 3.9 mm

高度 - 1.5 mm 1.5 mm

封装 Micro SOIC-8 SOIC-8

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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