NTE2970和SIHS20N50C-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTE2970 SIHS20N50C-E3 SMK2050CI

描述 TO-3P N-CH 500V 22AMosfet n-Ch 500V 20A To-247adSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics Vishay Siliconix Kodenshi

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 - -

封装 TO-3 TO-247-3 TO-3

漏源极电阻 0.29 Ω 0.27 Ω -

极性 N-Channel - -

耗散功率 278 W 250 W -

阈值电压 4 V 5 V -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V -

连续漏极电流(Ids) 22.0 A - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 500 V -

上升时间 - 27 ns -

输入电容(Ciss) - 2942pF @25V(Vds) -

下降时间 - 44 ns -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) - 250mW (Tc) -

封装 TO-3 TO-247-3 TO-3

长度 - 16.1 mm -

宽度 - 5.3 mm -

高度 - 20.8 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free 无铅 -

ECCN代码 EAR99 - -

HTS代码 85412900951 - -

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