BD235和BD235STU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD235 BD235STU 2N4922G

描述 NPN功率晶体管 NPN power transistorsTrans GP BJT NPN 60V 2A 3Pin(3+Tab) TO-126 RailON SEMICONDUCTOR  2N4922G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 10 hFE

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-225-3

频率 3 MHz - 3 MHz

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 2.00 A 2.00 A 1.00 A

无卤素状态 - - Halogen Free

针脚数 - - 3

极性 - NPN NPN

耗散功率 25 W - 30 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

热阻 - - 4.16℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 - 2A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 25 @1A, 2V 25 @1A, 2V 30 @500mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) - - 150

额定功率(Max) 25 W 25 W 30 W

直流电流增益(hFE) - - 10

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 25000 mW 25 W 30000 mW

长度 7.8 mm - 7.8 mm

宽度 2.7 mm - 2.66 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-225-3

高度 10.8 mm - -

材质 Silicon - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Active

包装方式 Tube Rail Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2016/06/20

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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