IRFS7430PBF和IRFS7430TRLPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFS7430PBF IRFS7430TRLPBF IRFS7437PBF

描述 INFINEON  IRFS7430PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.00097 ohm, 10 V, 3.9 VINFINEON  IRFS7430TRLPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.00097 ohm, 10 V, 3.9 V 新INFINEON  IRFS7437PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0014 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3

针脚数 3 3 3

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 375 W 375 W 230 W

阈值电压 3.9 V 3.9 V 3 V

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 426A 426A 250A

上升时间 105 ns 105 ns 70 ns

输入电容(Ciss) 14240pF @25V(Vds) 14240pF @25V(Vds) 7330pF @25V(Vds)

下降时间 100 ns 100 ns 53 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 375 W 375W (Tc) 230W (Tc)

通道数 - - 1

漏源极电阻 0.00097 Ω - 0.0014 Ω

额定功率 375 W - -

长度 10.67 mm 6.5 mm 10.67 mm

宽度 9.65 mm 6.22 mm 9.65 mm

高度 4.83 mm 2.3 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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