TLC271AIDG4和TLV272IP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC271AIDG4 TLV272IP TLV272CDR

描述 LinCMOSE可编程低功耗运算放大器 LinCMOSE PROGRAMMABLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERSBiMOS/BiCMOS 运算放大器,TLV/LMV 系列TEXAS INSTRUMENTS  TLV272CDR  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 2.4 V/µs, ± 1.35V 至 ± 8V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8

输出电流 - 7mA @5V 7mA @5V

供电电流 950 µA 625 µA 625 µA

电路数 1 2 2

通道数 1 2 2

针脚数 - 8 8

耗散功率 0.725 W 0.625 W 0.396 W

共模抑制比 65 dB 65 dB 65 dB

输入补偿漂移 1.80 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 1.7 MHz 3 MHz 3 MHz

转换速率 3.60 V/μs 2.10 V/μs 2.10 V/μs

增益频宽积 2.2 MHz 3 MHz 3 MHz

过温保护 - No No

输入补偿电压 900 µV 500 µV 500 µV

输入偏置电流 0.7 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 1.7 MHz 3 MHz 3 MHz

耗散功率(Max) - 625 mW 396 mW

共模抑制比(Min) - 65 dB 65 dB

电源电压 4V ~ 16V - 2.7V ~ 16V

电源电压(DC) 16.0 V 16.0 V -

输入电压(Max) - 16 V -

电源电压(Max) 16 V 16 V -

长度 - 9.81 mm 4.9 mm

宽度 - 6.35 mm 3.91 mm

高度 - 4.57 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/06/15 2015/06/15

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