对比图
型号 FQD6N50C FQD6N50CTM
描述 Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FETTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 3
封装 - TO-252-3
耗散功率 - 2.5 W
漏源极电压(Vds) - 500 V
上升时间 - 35 ns
输入电容(Ciss) - 700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W
下降时间 - 45 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 61W (Tc)
额定电压(DC) - 500 V
额定电流 - 4.50 A
漏源极电阻 - 1.20 Ω
极性 - N-Channel
漏源击穿电压 - 500 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) - 4.50 A
封装 - TO-252-3
长度 - 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm
高度 - 2.3 mm
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99