VI40100GHM3/4W和VI40100G-M3/4W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VI40100GHM3/4W VI40100G-M3/4W VI40100G-E3/4W

描述 Diode Schottky 100V 40A 3Pin(3+Tab) TO-262AA TubeDiode Schottky 100V 40A 3Pin(3+Tab) TO-262AA Tube双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.42 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 功率二极管TVS二极管二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

正向电压 810mV @20A 810mV @20A 810mV @20A

正向电压(Max) - - 810mV @20A

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ -

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