BFG235和BFP540ESD

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BFG235 BFP540ESD MRF5812

描述 NPN硅RF晶体管(对于低失真宽带输出级放大器的天线和电信) NPN Silicon RF Transistor (For low-distortion broadband output amplifier stages in antenna and telecommunications)NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF TransistorRF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Motorola (摩托罗拉)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

封装 SOT-223-4 SOT-343 -

封装 SOT-223-4 SOT-343 -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

增益 12.5 dB - -

耗散功率(Max) 2 W - -

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