BSM35GP120和BSM35GP120G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSM35GP120 BSM35GP120G MUBW35-12A7

描述 IGBT 模块 1200V 35A PIMTrans IGBT Module N-CH 1200V 45A 230000mW 24Pin EconoPIM3MUBW 系列 1200 Vce 50 A 100 ns t(on) 制动斩波器 / 3 相逆变器

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Screw Chassis

引脚数 24 24 24

封装 EconoPIM-2 EconoPIM-3 E2

额定功率 230 W - -

耗散功率 230 W 230 W 225000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V - 1200 V

输入电容(Cies) 1.5nF @25V - 1.65nF @25V

额定功率(Max) 230 W - 225 W

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - - 225000 mW

长度 107.5 mm 122 mm -

宽度 45 mm 62 mm -

高度 17 mm 17 mm -

封装 EconoPIM-2 EconoPIM-3 E2

工作温度 -40℃ ~ 125℃ - -40℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Design Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Box - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

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