对比图
型号 IXTU1R4N60P IXTY1R4N60P NDD01N60-1G
描述 Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3Pin(3+Tab) TO-251Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3Pin(2+Tab) TO-252AAN沟道功率MOSFET的600 V ， 8.5 N-Channel Power MOSFET 600 V, 8.5
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
封装 TO-251-3 TO-252-3 TO-251-3
引脚数 - 3 3
耗散功率 50W (Tc) 50 W 46 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
输入电容(Ciss) 140pF @25V(Vds) 140 pF 160pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 50W (Tc) 50W (Tc) 46W (Tc)
无卤素状态 - - Halogen Free
漏源极电阻 - - 8 Ω
极性 - - N-Channel
阈值电压 - - 3.3 V
上升时间 - - 5.1 ns
下降时间 - - 21.3 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
额定电压(DC) - 600 V -
额定电流 - 1.40 A -
输入电容 - 140 pF -
栅电荷 - 5.20 nC -
连续漏极电流(Ids) - 1.40 A -
额定功率(Max) - 50 W -
封装 TO-251-3 TO-252-3 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17