JAN1N5550US和JANS1N5550US

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N5550US JANS1N5550US BYW172D-TAP

描述 Diode Switching 200V 5A 2Pin B-MELFDiode Switching 200V 5A 2Pin B-MELFDiode Switching 200V 3A 2Pin SOD-64 Ammo

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Vishay Semiconductor (威世)

分类 功率二极管功率二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 2 2 -

封装 B-MELF B-SQ-MELF-2 SOD-64

正向电压 1.2V @9A - 1.5V @9A

反向恢复时间 2 µs 2000 ns 100 ns

正向电流 5000 mA - 3 A

正向电流(Max) 5000 mA 5 A -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ 55 ℃

正向电压(Max) - - 1.5V @9A

封装 B-MELF B-SQ-MELF-2 SOD-64

长度 - - 4 mm

宽度 - - 4.3 mm

高度 - - 4.3 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bulk Tape & Box (TB)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃

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