SI4178DY-T1-E3和SI4178DY-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4178DY-T1-E3 SI4178DY-T1-GE3

描述 MOSFET N-CH 30V 12A 8SOMOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8

耗散功率 2.4W (Ta), 5W (Tc) 2.4W (Ta), 5W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 405pF @15V(Vds) 405pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) 2.4W (Ta), 5W (Tc) 2.4W (Ta), 5W (Tc)

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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