1N825A(DO35)和JANS1N825-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N825A(DO35) JANS1N825-1 1N753A-1

描述 DIODE ZENER 6.2V 0.5W(1/2W) DO356.2与6.55伏温度补偿6.2和6.55伏温度补偿 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated500MW硅齐纳二极管 SILICON 500MW ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 2

封装 DO-35 DO-35-2 DO-204AH

容差 ±5 % - ±5 %

正向电压 - - 1.1V @200mA

耗散功率 - - 500 mW

测试电流 - - 20 mA

稳压值 6.2 V - 6.2 V

正向电压(Max) - - 1.1V @200mA

额定功率(Max) 500 mW - 500 mW

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

封装 DO-35 DO-35-2 DO-204AH

长度 - 5.08 mm -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead

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