1N5622US和JAN1N5622US

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5622US JAN1N5622US 1N5622U

描述 无空隙,密封的表面安装标准恢复整流二极管玻璃 VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED SURFACE MOUNT STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERSDiode Gen Purp 1kV 1A D5aRectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Sensitron Semiconductor

分类 功率二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SQ-MELF SQ-MELF -

正向电压 1.3V @3A 1.3V @3A -

反向恢复时间 2 µs 2 µs -

正向电压(Max) - 1.3V @3A -

封装 SQ-MELF SQ-MELF -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 -

含铅标准 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台