BC558BRL和BC558BRL1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC558BRL BC558BRL1 BC558B

描述 放大器晶体管 Amplifier Transistors放大器晶体管 Amplifier TransistorsTransistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.5W(1/2W); TO92

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92

引脚数 - - 3

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -

额定电流 -100 mA -100 mA -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V -

最小电流放大倍数(hFE) 180 @2mA, 5V 180 @2mA, 5V -

额定功率(Max) 625 mW 625 mW -

频率 - - 150 MHz

额定功率 - - 500 mW

耗散功率 - - 500 mW

增益频宽积 - - 150 MHz

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 500 mW

极性 - PNP -

集电极最大允许电流 - 0.1A -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape Tape Ammo Pack

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -

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