MC33077DG和MC33077DR2G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MC33077DG MC33077DR2G MC1458DR

描述 ON SEMICONDUCTOR  MC33077DG  运算放大器, 双路, 37 MHz, 2个放大器, 11 V/µs, ± 2.5V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚MC33077,低噪声,双路运算放大器,ON Semiconductor低电压噪声:4.4 nV/√Hz(1 kHz 时) 低输入偏置电压:0.2 mV 输入偏置电压:2.0 μV/°C ### 运算放大器,ON SemiconductorTEXAS INSTRUMENTS  MC1458DR  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.5 V/µs, ± 5V 至 ± 15V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

供电电流 3.5 mA 3.5 mA 3.4 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

共模抑制比 85 dB 85 dB 70 dB

带宽 37 MHz 37 MHz 1 MHz

增益频宽积 37 MHz 37 MHz 1 MHz

输入补偿电压 130 µV 130 µV 1 mV

输入偏置电流 280 nA 280 nA 80 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 37 MHz 37 MHz 1 MHz

共模抑制比(Min) 85 dB 85 dB 70 dB

输入补偿漂移 - - 0.00 V/K

转换速率 11.0 V/μs - 500 mV/μs

电源电压(Max) - - 15 V

电源电压(DC) 15.0 V - -

长度 5 mm 4 mm 4.9 mm

宽度 4 mm 5 mm 3.91 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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