对比图
型号 IPD33CN10NG IPD33CN10NGBUMA1
描述 Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD33CN10NGBUMA1, 27 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3-11 TO-252-3
极性 N-Channel N-CH
耗散功率 58.0 W 58W (Tc)
输入电容(Ciss) 1180pF @50V(Vds) 1570pF @50V(Vds)
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 58 W 58W (Tc)
漏源极电压(Vds) - 100 V
连续漏极电流(Ids) - 27A
长度 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.223 mm 6.223 mm
高度 2.413 mm 2.413 mm
封装 TO-252-3-11 TO-252-3
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)