APT10026JFLL和IXFN34N100

对比图

型号 APT10026JFLL IXFN34N100 APT10026JLL

描述 SOT-227 N-CH 1000V 30ASOT-227B N-CH 1000V 34ATrans MOSFET N-CH 1kV 30A 4Pin SOT-227

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Screw Chassis Screw

引脚数 4 - -

封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227

额定电压(DC) 1.00 kV - 1.00 kV

额定电流 30.0 A - 30.0 A

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 595 W 700 W -

输入电容 7.11 nF - 7.11 nF

栅电荷 267 nC - 267 nC

漏源极电压(Vds) 1.00 kV 1000 V 1000 V

连续漏极电流(Ids) 30.0 A 34A 30.0 A

上升时间 8 ns 65 ns -

输入电容(Ciss) 7114pF @25V(Vds) 9200pF @25V(Vds) 7114pF @25V(Vds)

下降时间 9 ns 30 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 595000 mW 700W (Tc) -

额定功率(Max) - 700 W 595 W

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 280 mΩ -

漏源击穿电压 - 1000 V -

封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227

长度 - 38.2 mm -

宽度 - 25.07 mm -

高度 - 9.6 mm -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -