TLE2062AID和TLE2062CDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLE2062AID TLE2062CDR AD8512ARZ

描述 JFET 输入运算放大器,Excalibur TLE 系列与早期系列的 JFET 输入放大器相比,Texas Instruments Excalibur 系列 BiFET 运算放大器具有显著改进。 TLE2060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器,与早期 TL060 和 TL030 BiFET 系列相比,带宽加倍,但功耗无显著增加;此外,它们与 TL030/TL060 设备相比噪音更低。 与早期 TL070 和 TL080 系列相比,TLE2070 和 TLE2080 系列的带宽超过其两倍,转换速率是其三倍,且噪音级别更低。 它们还可在高达 ±19V 的更高电源电压下工作。### 运算放大器,Texas InstrumentsTEXAS INSTRUMENTS  TLE2062CDR  芯片, 运算放大器, JFET, 2MHZ, 2路, 8SOICJFET 输入运算放大器Analog Devices JFET 输入运算放大器提供高输入阻抗和超低输入偏置电流。 许多这些 JFET 运算放大器适用于低噪声和高速应用。### 运算放大器,Analog Devices

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ADI (亚德诺)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤80 mA ≤80 mA -

供电电流 625 µA 625 µA 2.2 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

共模抑制比 65 dB 65 dB 86 dB

输入补偿漂移 6.00 µV/K 6.00 µV/K -

带宽 2 MHz 1.8 MHz 8 MHz

转换速率 3.40 V/μs 3.40 V/μs 20.0 V/μs

增益频宽积 1.8 MHz 1.8 MHz 8 MHz

输入补偿电压 800 µV 900 µV 100 µV

输入偏置电流 4 pA 4 pA 25 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃

增益带宽 2 MHz 2 MHz 8 MHz

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 86 dB

电源电压(DC) 36.0 V - 15.0 V

输入阻抗 - - 1.25 TΩ

电源电压(Max) - - 5 V

电源电压(Min) - - 15 V

电源电压 3.5V ~ 18V - -

长度 4.9 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 4 mm

高度 1.58 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

军工级 - - No

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

香港进出口证 NLR - -

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