IPU039N03LGXK和IPU04N03LA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPU039N03LGXK IPU04N03LA IPU04N03LA G

描述 TO-251 N-CH 30V 50AOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-TransistorMOSFET N-CH 25V 50A IPAK

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 94W (Tc) 115W (Tc) 115W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 25 V 25 V

连续漏极电流(Ids) 50A 50.0 A 50.0 A

输入电容(Ciss) 5300pF @15V(Vds) 5199pF @15V(Vds) 5199pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) 94W (Tc) 115W (Tc) 115W (Tc)

额定电压(DC) - 25.0 V 25.0 V

额定电流 - 50.0 A 50.0 A

输入电容 - 5.20 nF 5.20 nF

栅电荷 - 41.0 nC 41.0 nC

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Contains Lead Lead Free

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