ISL9V3036P3和ISL9V3036S3ST

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ISL9V3036P3 ISL9V3036S3ST ISL9V3036S3S

描述 EcoSPARKTM 300mJ , 360V , N沟道IGBT点火 EcoSPARKTM 300mJ, 360V, N-Channel Ignition IGBTTrans IGBT Chip N-CH 350V 21A 150000mW Automotive 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RTrans IGBT Chip N-CH 350V 21A 150000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-263-3

耗散功率 150000 mW 150000 mW 150000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 360 V 360 V 360 V

额定功率(Max) 150 W 150 W 150 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 150000 mW 150000 mW 150000 mW

额定电压(DC) 360 V - -

额定电流 21.0 A - -

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-263-3

高度 9.02 mm - 4.83 mm

工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台