TPS2812DG4和TPS2812DR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TPS2812DG4 TPS2812DR TPS2812D

描述 双高速MOSFET DRIBERS DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERS双高速MOSFET DRIBERS DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERSTEXAS INSTRUMENTS  TPS2812D  双路驱动器, MOSFET, 高压侧, 4V-14V电源, 2A输出, 25ns延迟, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 4.00V (min) 4.00V (min) 4.00V (min)

上升/下降时间 14ns, 15ns 14ns, 15ns 14ns, 15ns

输出接口数 2 2 2

输出电流 2 A 2 A 2.00 A

耗散功率 0.73 W 730 mW 730 mW

上升时间 35 ns 35 ns 35 ns

下降时间 35 ns 35 ns 35 ns

下降时间(Max) 35 ns 35 ns 35 ns

上升时间(Max) 35 ns 35 ns 35 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 730 mW 730 mW 730 mW

电源电压 4V ~ 14V 4V ~ 14V 4V ~ 14V

输出电压 0.14.5 V - 15.5 V

供电电流 - - 5.00 mA

通道数 2 - 2

针脚数 - - 8

输出电压(Max) - - 13 V

电源电压(Max) - - 14 V

电源电压(Min) - - 4 V

输入电压 8.40 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.91 mm

高度 - - 1.58 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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