IDT70T633S10BCI和IDT70T633S12BC8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT70T633S10BCI IDT70T633S12BC8 IDT70T633S12BCI

描述 HIGH -SPEED 2.5V 512 / 256K ×18异步双口静态RAM为3.3V 0R 2.5V接口 HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACEIC SRAM 9Mbit 12NS 256BGAHIGH -SPEED 2.5V 512 / 256K ×18异步双口静态RAM为3.3V 0R 2.5V接口 HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 BGA-256 BGA-256 BGA-256

电源电压 - 2.4V ~ 2.6V -

封装 BGA-256 BGA-256 BGA-256

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 3A991 3A991 3A991

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