IRF7468TRPBF和IRF7842PBF的区别_IRF7468TRPBF代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

描述 IRF7468TRPBF 编带N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。SOIC N-CH 40V 9.4A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

额定功率 2.5 W 2.5 W -

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.0117 Ω 0.005 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5W (Ta)

阈值电压 2 V 2.25 V -

输入电容 2460 pF 4500pF @20V -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 9.4A - 9.4A

上升时间 2.3 ns 12 ns -

输入电容(Ciss) 2460pF @20V(Vds) 4500pF @20V(Vds) 2460pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W - -

下降时间 3.8 ns 5 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

输出电流 - ≤2.50 A -

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 40 V -

长度 5 mm 5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.5 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -