BUK7212-55B和BUK7212-55B,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK7212-55B BUK7212-55B,118 BUK9212-55B,118

描述 的TrenchMOS标准水平FET TrenchMOS standard level FETDPAK N-CH 55V 83AN沟道 VDS=55V VGS=±15V ID=83A P=167W

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - - 3

极性 N-CH N-CH -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 83A 83A -

耗散功率 - 167W (Tc) 167 W

上升时间 - 91 ns 101 ns

输入电容(Ciss) - 2453pF @25V(Vds) 3519pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 167 W 167 W

下降时间 - 45 ns 75 ns

耗散功率(Max) - 167W (Tc) 167W (Tc)

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 10 mΩ

输入电容 - - 2640 pF

漏源击穿电压 - - 55 V

工作温度(Max) - - 185 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

长度 - - 6.73 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.38 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

工作温度 - -55℃ ~ 185℃ (TJ) -55℃ ~ 185℃ (TJ)

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