ARF466AG和ARF466FL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ARF466AG ARF466FL ARF466BG

描述 Trans RF MOSFET N-CH 1000V 13A 3Pin(3+Tab) TO-264RF功率MOSFET N沟道增强模式 RF POWER MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODETrans RF MOSFET N-CH 1000V 13A 3Pin(3+Tab) TO-264

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 6 3

封装 TO-264-3 ~0.27°C/W TO-264-3

频率 40.68 MHz 40.68 MHz 40.68 MHz

耗散功率 357000 mW 1153000 mW 357000 mW

漏源极电压(Vds) 1000 V - 1000 V

上升时间 10 ns 10 ns 10 ns

输出功率 300 W 150 W 150 W

增益 16 dB 16 dB 16 dB

输入电容(Ciss) 2000pF @150V(Vds) 2000pF @150V(Vds) 2000pF @150V(Vds)

下降时间 10 ns 10 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 357000 mW 1153000 mW 357000 mW

额定电压 1000 V 1000 V 1000 V

额定电流 - 13 A -

封装 TO-264-3 ~0.27°C/W TO-264-3

高度 - - 26.49 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Box Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

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