对比图
型号 AUIRFR3504 IRFR4104PBF IRFR3504ZTRPBF
描述 N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRFR4104PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 40 V, 5.5 mohm, 10 V, 4 V晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 40 V, 0.00823 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 140 W 140 W 90 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 0.0078 Ω 0.0055 Ω 0.00823 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 140 W 140 W 90 W
阈值电压 2 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 87A 119A 77.0 A
上升时间 53 ns 69 ns 74 ns
输入电容(Ciss) 2150pF @25V(Vds) 2950pF @25V(Vds) 1510pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 140 W 90 W
下降时间 22 ns 36 ns 38 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 140W (Tc) 140W (Tc) 90W (Tc)
通道数 1 - -
额定电压(DC) - - 40.0 V
额定电流 - - 42.0 A
长度 6.73 mm 6.73 mm -
宽度 6.22 mm 6.22 mm -
高度 2.39 mm 2.39 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - Silicon
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99